| 发明名称 | 一种磁性中空结构分子印迹聚合物的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种磁性中空结构分子印迹聚合物的制备方法，包括如下步骤：（1）以甲基丙烯酸羟乙酯为功能单体，甲基丙烯酸缩水甘油酯为共单体，采用多步种子溶胀聚合法制备在表面嫁接了环氧基的具有中空结构的分子印迹聚合物；（2）步骤（1）的分子印迹聚合物用高氯酸处理，使表面的环氧基开环；（3）经步骤（2）处理的分子印迹聚合物用溶剂分散，再按铁离子与亚铁离子的摩尔比为2:1加入铁盐和亚铁盐，调节至碱性，反应得到磁性中空结构分子印迹聚合物。本发明先制备中空印迹聚合物，然后在其表面原位生长磁性粒子，从而成功制备出具有磁性中空结构的分子印迹聚合物。其具有高结合容量和快速磁分离特点。 | ||
| 申请公布号 | CN105693918A | 申请公布日期 | 2016.06.22 |
| 申请号 | CN201610062396.1 | 申请日期 | 2016.01.29 |
| 申请人 | 临沂大学 | 发明人 | 陆宏志;徐守芳 |
| 分类号 | C08F220/28(2006.01)I;C08F220/32(2006.01)I;C08J9/26(2006.01)I;C08F8/42(2006.01)I;B01J20/26(2006.01)I | 主分类号 | C08F220/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人 | 陆菊华 |
| 主权项 | 一种磁性中空结构分子印迹聚合物的制备方法，包括如下步骤：（1）以甲基丙烯酸羟乙酯为功能单体，甲基丙烯酸缩水甘油酯为共单体，采用多步种子溶胀聚合法制备在表面嫁接了环氧基的具有中空结构的分子印迹聚合物；（2）步骤（1）的分子印迹聚合物用高氯酸处理，使表面的环氧基开环；（3）经步骤（2）处理的分子印迹聚合物用溶剂分散，再按铁离子与亚铁离子的摩尔比为2:1加入铁盐和亚铁盐，调节至碱性，反应得到磁性中空结构分子印迹聚合物。 | ||
| 地址 | 273306 山东省临沂市兰山区工业大道北段西侧 | ||