| 发明名称 | 一种氧化钨纳米花氢气传感器的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氧化钨纳米花氢气传感器的制备方法，包括以下步骤：(1)在衬底上生长出氧化钨纳米线，且钨粉贴附在其表面上；(2)将衬底上的钨粉生长为氧化钨纳米花结构体；(3)将衬底加热退火后，在氧化钨纳米花结构体上掺杂贵金属，得到氢气传感器敏感材料；(4)在氢气传感器敏感材料两端制备电极，再引线封装，得到氧化钨纳米花氢气传感器。本发明提供的氧化钨纳米花氢气传感器的制备方法通过在衬底上生长出结构稳定、比表面积较高的氧化钨纳米花结构体，制备得到电学数据稳定、室温下响应灵敏度高的氢气传感器，且其制备方法简单、成本低廉。 | ||
| 申请公布号 | CN105699440A | 申请公布日期 | 2016.06.22 |
| 申请号 | CN201610118627.6 | 申请日期 | 2016.03.02 |
| 申请人 | 五邑大学 | 发明人 | 罗坚义;李宇东;莫希伟;曾庆光 |
| 分类号 | G01N27/12(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | G01N27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人 | 华辉 |
| 主权项 | 一种氧化钨纳米花氢气传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在衬底上生长出氧化钨纳米线，且钨粉贴附在其表面上；(2)将衬底上的钨粉生长为氧化钨纳米花结构体；(3)将衬底加热退火后，在氧化钨纳米花结构体上掺杂贵金属，得到氢气传感器敏感材料；(4)在氢气传感器敏感材料两端制备电极，再引线封装，得到氧化钨纳米花氢气传感器。 | ||
| 地址 | 529000 广东省江门市蓬江区东成村22号五邑大学应用物理学院与材料学院 | ||