一种PVT法生长碳化硅单晶时随炉退火的方法

摘要

本发明公开了一种PVT法生长碳化硅单晶时随炉退火的方法，为该方法配备一晶体生长用单晶炉，该方法包括如下步骤：步骤1）调整所述保温结构使所述发热筒内得到理想的温区分布，在所述坩埚内进行碳化硅晶体生长；步骤2）碳化硅晶体生长完成后，使用所述提拉机构控制所述坩埚，将其移至所述发热筒内低于晶体生长温度的区域；步骤3）待晶体温度恒定后，启动温控程序将单晶炉内温度缓慢降至室温，降温后出炉、取锭。以此达到去除晶体内部应力的目的。

主权项

一种PVT法生长碳化硅单晶时随炉退火的方法，其特征在于，为该方法配备一晶体生长用单晶炉，该单晶炉包括坩埚、发热筒、保温结构和感应线圈，所述坩埚置于所述发热筒内，与坩埚连接有驱动其在发热筒内上下移动的提拉机构，发热筒四周包覆有所述保温结构，所述感应线圈与发热筒配合使用，对发热筒感应加热；该方法包括如下步骤：步骤1）调整所述保温结构使所述发热筒内得到理想的温区分布，在所述坩埚内进行碳化硅晶体生长；步骤2）碳化硅晶体生长完成后，使用所述提拉机构控制所述坩埚，将其移至所述发热筒内低于晶体生长温度的区域；步骤3）待晶体温度恒定后，启动温控程序将单晶炉内温度缓慢降至室温，降温后出炉、取锭。