| 发明名称 | 具有量子化反常霍尔效应的材料和由其形成的霍尔器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有量子化反常霍尔效应的材料和由其形成的霍尔器件。在一实施例中，一种具有量子化反常霍尔效应的材料可包括：拓扑绝缘体基材；掺杂到所述拓扑绝缘体基材中的第一元素，所述第一元素引入电子型载流子；以及掺杂到所述拓扑绝缘体基材中的第二元素和第三元素，所述第二元素和所述第三元素每个引入空穴型载流子和磁性，从而形成双磁性掺杂拓扑绝缘体。 | ||
| 申请公布号 | CN105702854A | 申请公布日期 | 2016.06.22 |
| 申请号 | CN201610291358.3 | 申请日期 | 2016.05.05 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 欧云波;郭建东 |
| 分类号 | H01L43/10(2006.01)I;H01L43/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市正见永申律师事务所 11497 | 代理人 | 黄小临;冯玉清 |
| 主权项 | 一种具有量子化反常霍尔效应的材料，包括：拓扑绝缘体基材；掺杂到所述拓扑绝缘体基材中的第一元素，所述第一元素引入电子型载流子；以及掺杂到所述拓扑绝缘体基材中的第二元素和第三元素，所述第二元素和所述第三元素每个引入空穴型载流子和磁性，从而形成双磁性掺杂拓扑绝缘体。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街8号 | ||