| 发明名称 | 反向导通绝缘栅双极性晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种对两步式导通现象的产生进行抑制的反向导通绝缘栅双极性晶体管。反向导通绝缘栅双极性晶体管(1)的半导体层(10)具备n型的势垒区(18)，所述势垒区(18)被设置在体区(15)内，并且通过从半导体层(10)的表面(10B)延伸的柱区(19)而与发射极(24)电连接。势垒区(18)具有第一势垒部分区域(18a)及第二势垒部分区域(18b)，其中，所述第一势垒部分区域(18a)到漂移区(14)的距离为第一距离(18Da)，所述第二势垒部分区域(18b)到漂移区(14)的距离为与第一距离(18Da)相比较长的第二距离(18Db)。第二势垒部分区域(18b)与绝缘沟槽栅部(30)的侧面相接。 | ||
| 申请公布号 | CN105702718A | 申请公布日期 | 2016.06.22 |
| 申请号 | CN201510918997.3 | 申请日期 | 2015.12.10 |
| 申请人 | 丰田自动车株式会社 | 发明人 | 平林康弘;细川博司;安田佳史;添野明高;妹尾贤;町田悟;山下侑佑 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人 | 苏萌萌;范文萍 |
| 主权项 | 一种反向导通绝缘栅双极性晶体管，具备：半导体层；发射极，其对所述半导体层的一个主面进行覆膜；绝缘沟槽栅部，其从所述半导体层的一个主面朝向所述半导体层内延伸，所述半导体层具备：第一导电型的漂移区，其与所述绝缘沟槽栅部相接；第二导电型的体区，其被设置在所述漂移区上，并且与所述绝缘沟槽栅部相接；第一导电型的势垒区，其被设置在所述体区内，并且通过从所述半导体层的一个主面延伸的柱部而与所述发射极电连接，所述势垒区具有：第一势垒部分区域，其到所述漂移区的距离为第一距离；第二势垒部分区域，其到所述漂移区的距离为与所述第一距离相比较长的第二距离；所述第二势垒部分区域与所述绝缘沟槽栅部的侧面相接。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||