| 发明名称 | 形成半导体器件的栅极的方法 | ||
| 摘要 | 提供一种形成半导体器件的栅极的方法。还提供一种半导体器件。所述半导体器件包括：由支撑衬底、掩埋绝缘层和半导体层组成的衬底；在所述半导体层内彼此间隔形成的第一和第二沟槽以使所述掩埋绝缘暴露出来；和在所述第一和第二沟槽的内侧壁上和在不形成所述沟槽的半导体层上形成的栅极绝缘层；和覆盖所述栅极绝缘层的栅极导电层。 | ||
| 申请公布号 | CN102361011B | 申请公布日期 | 2016.06.22 |
| 申请号 | CN201110308347.9 | 申请日期 | 2009.05.15 |
| 申请人 | 美格纳半导体有限会社 | 发明人 | 车韩燮 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 蔡胜有;顾晋伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：由支撑衬底、掩埋绝缘层和半导体层组成的衬底；在所述半导体层内彼此间隔形成的向下延伸至所述掩埋绝缘层的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽的底部暴露所述掩埋绝缘层；和在所述第一沟槽和所述第二沟槽的内侧壁上和在不形成所述第一沟槽和所述第二沟槽的半导体层上形成的栅极绝缘层；和覆盖所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的衬底上的所述栅极绝缘层的栅极导电层，其中所述第一沟槽和所述第二沟槽通过气相蚀刻工艺形成，所述气相蚀刻工艺使在所述第一沟槽和所述第二沟槽的上部边缘部分上集中的电场的强度降低；以及其中所述栅极导电层与所述栅极绝缘层部分交叠；以及其中所述栅极导电层从所述栅极绝缘层延伸至所述掩埋绝缘层。 | ||
| 地址 | 韩国忠清北道清州市 | ||