| 摘要 |
본 발명은 소형화에 알맞은 반도체 장치를 제공한다. 반도체 장치는 제 1 트랜지스터, 제 1 트랜지스터 위의 제 2 트랜지스터, 제 1 트랜지스터와 제 2 트랜지스터 사이의 배리어층, 제 1 트랜지스터와 배리어층 사이의 제 1 전극, 및 배리어층과 제 2 트랜지스터 사이에 있고 배리어층을 개재하여 제 1 전극과 중첩되는 제 2 전극을 포함한다. 제 1 트랜지스터의 게이트 전극, 제 1 전극, 제 2 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나는 서로 전기적으로 접속된다. 제 1 트랜지스터에서, 채널은 단결정 반도체를 포함하는 제 1 반도체층에 형성된다. 제 2 트랜지스터에서, 채널은 산화물 반도체를 포함하는 제 2 반도체층에 형성된다. |
