发明名称 半导体元件及其制造方法
摘要 本发明关于一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括一基板、一第一重布层及一导电孔。该基板具有一基板本体及一焊垫。该焊垫及该第一重布层邻近于该基板本体的第一表面,且彼此电性连接。互连金属位于该基板本体的一贯穿孔中,且接触该第一重布层。藉此,该焊垫可经由该第一重布层及该导电孔电性连接至该基板本体的第二表面。
申请公布号 CN103258803B 申请公布日期 2016.06.22
申请号 CN201310012910.7 申请日期 2013.01.14
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 许芝菁;欧英德;府玠辰;黄哲豪
分类号 H01L23/48(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L23/48(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 陆勍
主权项 一种半导体元件,包括一基板,具有一焊垫及一介电层,该介电层位于该基板的一第一表面上,该介电层具有一显露该焊垫的第一开口;一第一重布层,邻近于该基板的该第一表面,且电性连接至该焊垫;及一导电孔,形成于该基板中,该导电孔包含一环状晶种层及一互连层,该环状晶种层位于该基板上,该互连层具有一位于该晶种层的一内表面上的外表面,且电性连接至该第一重布层,其中该介电层更具有一对应该导电孔的第二开口,该环状晶种层的底部接触该第一重布层,且该导电孔与该第一重布层间具有一界面。
地址 中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号