发明名称 |
基板处理方法和基板处理装置 |
摘要 |
本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置,该基板处理装置能够防止上部电极消耗且能提高处理空间中的等离子体的密度分布的控制性。基板处理装置包括:基座,其与第1高频电源相连接且用于载置晶圆;上部电极板,其与该基座相对地配置;处理空间,其位于基座与上部电极板之间,该基板处理装置利用等离子体对晶圆实施等离子蚀刻处理,基板处理装置具有覆盖上部电极板中的与处理空间面对的部分的电介质板,上部电极板被分割成与晶圆的部相对的内侧电极和与晶圆的周缘部相对的外侧电极,内侧电极与外侧电极彼此电绝缘,自第2可变直流电源对内侧电极施加正的直流电压,并且使外侧电极接地。 |
申请公布号 |
CN102280339B |
申请公布日期 |
2016.06.22 |
申请号 |
CN201110157803.4 |
申请日期 |
2011.06.13 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
和田畅弘;小林真;辻本宏;田村纯;直井护 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;张会华 |
主权项 |
一种基板处理装置,其包括:下部电极,其与高频电源相连接且用于载置基板;上部电极,其与该下部电极相对地配置;处理空间,其位于上述下部电极与上述上部电极之间,该基板处理装置利用在该处理空间内产生的等离子体对所载置的上述基板实施等离子处理,其特征在于,该基板处理装置具有对上述上部电极中的与上述处理空间面对的部分进行覆盖的电介质构件;上述上部电极是簇射头的一部分,配置在上述电介质构件和簇射头中的吊起支承该上部电极并在内部设有缓冲室的冷却板之间,上述上部电极被分割成与所载置的上述基板的中央部相对的内侧电极以及与所载置的上述基板的周缘部相对的外侧电极;上述内侧电极和上述外侧电极彼此电绝缘;对上述内侧电极施加直流电压,并且上述外侧电极接地,上述电介质构件抑制从上述上部电极向等离子体放出电子,在上述内侧电极与外侧电极之间夹设有环状的绝缘性构件。 |
地址 |
日本东京都 |