基板处理方法

摘要

本发明提供一种基板处理方法，在处理对象基板的掩模膜或中间膜上形成满足半导体装置小型化要求的尺寸的用于对蚀刻对象膜进行转印的开口部。该基板处理方法具有开口宽度缩小步骤，在硅基材（50）上依次层叠有非晶碳膜（51）、SiON膜（52）、反射防止膜（53）和光致抗蚀剂层（54），且光致抗蚀剂层（54）具有使反射防止膜（53）的一部分露出的开口部（55）的晶片（Q）中，通过由作为气体附着系数S为S＝0.1～1.0的沉积性气体的CHF₃生成的等离子体，使沉积物（66）堆积到光致抗蚀剂膜（54）的开口部（55）的侧壁面上，将开口部（55）的开口宽度缩小至规定宽度。

主权项

一种处理基板的基板处理方法，该基板依次层叠有处理对象层、中间层和掩模层，所述掩模层具有使所述中间层的一部分露出的开口部，所述基板处理方法的特征在于：具有以一个步骤进行开口宽度缩小步骤和蚀刻步骤的收缩蚀刻步骤，其中，所述开口宽度缩小步骤是，通过由各向异性蚀刻气体和氢气的混合气体生成的等离子体，使沉积物堆积到所述掩模层的所述开口部的侧壁面，所述蚀刻步骤是，对形成所述开口部的底部的所述中间层进行蚀刻，从所述各向异性蚀刻气体生成的等离子体蚀刻所述开口部的周边部，形成圆锥状壁面，所述各向异性蚀刻气体为CF₃I气体或CF₃Br气体，所述各向异性蚀刻气体的一部分与氢气发生反应，所述各向异性蚀刻气体中的F成分形成HF而被引出，所述各向异性蚀刻气体的一部分相对减少F成分，作为沉积气体起作用，从所述各向异性蚀刻气体和氢气反应生成的气体生成的离子或自由基与所述掩模层的表面或开口部侧壁面碰撞、反应，使沉积物堆积在该部分。