一种具有选择性刺激回复功能微图案薄膜的制备方法

摘要

一种具有选择性刺激回复功能微图案薄膜的制备方法，涉及一种具有刺激回复功能微图案薄膜的制备方法。本发明是要解决目前形状记忆微图案回复部位不可选择性，应用存在很大限制的技术问题。本发明：一、隔离硅片；二、滴加形状记忆聚合物，固化；三、剥离、压平。本发明的优点：本发明以粘稠态形状记忆聚合物为基体制备的具有选择性刺激回复功能的形状记忆微图案薄膜，具有多种刺激方法，并且在不同的刺激条件下只有相应部位的微图案才能回复的特点，并且通过本发明所设计的制备方法可以实现回复部位的可控性和可选择性，并且制备过程简单，可操作性强，有助于形状记忆聚合物材料在我国航空航天、光学变焦、密码传递和传感器等诸多领域的应用。

主权项

一种具有选择性刺激回复功能微图案薄膜的制备方法，其特征在于具有选择性刺激回复功能微图案薄膜的制备方法是按以下步骤进行的：一、隔离硅片：将四块表面带有微图案的矩形硅片用502胶水水平粘在同一个玻璃片上并且四块表面带有微图案的硅片紧密相邻组成一个矩形Ⅰ，然后用聚四氟乙烯薄膜将四块紧密相邻表面带有微图案的矩形硅片互相隔离开并且将矩形Ⅰ的四周也包围，对矩形Ⅰ中的四块表面带有微图案的矩形硅片按照顺时针方向分别设定为硅片A、硅片B、硅片C和硅片D；所述的四块表面带有微图案的矩形硅片的长×宽×厚＝10mm×10mm×0.5mm；二、将形状记忆聚合物与Fe₃O₄纳米颗粒均匀混合，超声分散10min，得到混合液Ⅰ，将质量为1g的混合液Ⅰ均匀滴加到步骤一所述的硅片A表面，然后在温度为70℃～80℃的条件下固化0.5h；所述的Fe₃O₄纳米颗粒与形状记忆聚合物的质量比为1:20；三、将硅片A和硅片B之间的聚四氟乙烯薄膜去掉，将质量为1g的形状记忆聚合物均匀滴加到硅片B的表面，然后在温度为70℃～80℃的条件下固化0.5h；四、将硅片B和硅片C之间的聚四氟乙烯薄膜去掉，将形状记忆聚合物与碳纳米管均匀混合，超声分散10min，得到混合液Ⅱ，将质量为1g的混合液Ⅱ均匀滴加到硅片C的表面，然后在温度为70℃～80℃的条件下固化0.5h；所述的碳纳米管与形状记忆聚合物的质量比为1:20；五、将硅片C和硅片D之间的聚四氟乙烯薄膜去掉，将形状记忆聚合物与螺吡喃均匀混合，超声分散10min，得到混合液Ⅲ，将质量为1g的混合液Ⅲ均匀滴加到硅片D的表面，然后在温度为70℃～80℃的条件下固化24h，在矩形Ⅰ的表面得到一层聚合物薄膜；所述的螺吡喃与形状记忆聚合物的质量比为1:33.3；六、将步骤五中矩形Ⅰ表面得到的聚合物薄膜从四块表面带有微图案的矩形硅片上剥离下来，用玻璃片压平，得到一层具有选择性刺激回复功能微图案薄膜。