一种小型LED芯片及其制造方法

摘要

本发明公开了一种小型LED芯片及其制造方法， LED芯片包括衬底、N型半导体层、发光层、及P型半导体层， LED芯片上形成有贯穿P型半导体层、发光层及部分N型半导体层的通孔，P型半导体层上形成有未覆盖通孔区域的透明导电层，LED芯片上在通孔侧壁、以及通孔旁侧部分透明导电层上形成有电流阻挡层，电流阻挡层上及通孔内形成有与N型半导体层电性连接的N电极，透明导电层上形成有与P型半导体层电性连接的P电极，衬底为图案化衬底，N电极为反射电极。本发明通过电流阻挡层和电极的设置，减小了N电极与N型半导体层的接触面积，能够使N电极下方的部分发光层进行发光，通过反射电极和PSS衬底进行出光，有效提高了小型LED芯片的发光效率。

主权项

一种小型LED芯片，所述LED芯片包括衬底、位于衬底上的N型半导体层、发光层、及P型半导体层，其特征在于，所述LED芯片上形成有贯穿P型半导体层、发光层及部分N型半导体层的通孔，所述P型半导体层上形成有未覆盖通孔区域的透明导电层，所述LED芯片上在通孔侧壁、以及通孔旁侧部分透明导电层上形成有电流阻挡层，所述电流阻挡层上及通孔内形成有与N型半导体层电性连接的N电极，透明导电层上形成有与P型半导体层电性连接的P电极，所述衬底为图案化衬底，所述N电极为反射电极。