发明名称 |
半导体结构及其形成方法 |
摘要 |
一种半导体结构及其形成方法,其中半导体结构的形成方法包括:提供衬底以及覆盖于衬底表面的刻蚀停止层,所述衬底内具有若干分立的底层金属层;刻蚀所述刻蚀停止层,形成暴露出底层金属层表面的凹槽;采用自对准生长工艺,形成填充满所述凹槽的电连接层,所述电连接层与底层金属层电连接;形成若干分立的第一石墨烯层、位于第一石墨烯层表面的存储介质层、以及位于存储介质层表面的第二石墨烯层,且第一石墨烯层位于电连接层表面以及部分刻蚀停止层表面。本发明简化工艺步骤,避免额外的工艺带来的不良影响,同时提高转化效率以及擦写速率,优化半导体结构的电学性能。 |
申请公布号 |
CN105702630A |
申请公布日期 |
2016.06.22 |
申请号 |
CN201410704633.0 |
申请日期 |
2014.11.26 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
张海洋;宋以斌 |
分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
应战;骆苏华 |
主权项 |
一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底以及覆盖于衬底表面的刻蚀停止层,所述衬底内具有若干分立的底层金属层;刻蚀所述刻蚀停止层,形成暴露出底层金属层表面的凹槽;采用自对准生长工艺,形成填充满所述凹槽的电连接层,所述电连接层与底层金属层电连接;形成若干分立的第一石墨烯层、位于第一石墨烯层表面的存储介质层、以及位于存储介质层表面的第二石墨烯层,且第一石墨烯层位于电连接层表面以及部分刻蚀停止层表面。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |