| 发明名称 | 具有减小的外形规格和增加的载流能力的功率半导体封装 | ||
| 摘要 | 公开了一种功率半导体封装。该功率半导体封装包括：引线框架，具有部分刻蚀区段和至少一个非刻蚀区段；第一半导体裸片，具有单片形成在其上的第一功率晶体管和驱动器集成电路(IC)；第二半导体裸片，具有第二功率晶体管；其中第一半导体裸片和第二半导体裸片被配置用于附接到部分刻蚀区段，并且其中部分刻蚀区段和至少一个非刻蚀区段使得第一半导体裸片能够通过无腿导电接线柱耦合到第二半导体裸片。 | ||
| 申请公布号 | CN105702640A | 申请公布日期 | 2016.06.22 |
| 申请号 | CN201510946455.7 | 申请日期 | 2015.12.16 |
| 申请人 | 英飞凌科技美国公司 | 发明人 | 曹应山 |
| 分类号 | H01L23/31(2006.01)I;H01L23/58(2006.01)I;H01L25/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 一种功率半导体封装，包括：引线框架，具有部分刻蚀区段和至少一个非刻蚀区段；第一半导体裸片，具有单片形成在其上的第一功率晶体管和驱动器集成电路(IC)；第二半导体裸片，具有第二功率晶体管；其中所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片被配置用于附接到所述部分刻蚀区段；其中所述部分刻蚀区段和所述至少一个非刻蚀区段使得所述第一半导体裸片能够通过无腿导电接线柱耦合到所述第二半导体裸片。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||