用于外延工艺的半导体制造设备

摘要

根据本发明一实施例，一种半导体制造设备，其特征在于，所述半导体制造设备包括：清洗腔室，其实现对基板的清洗工艺；外延腔室，其实现在所述基板上形成外延层的外延工艺；以及搬运腔室，其侧面与所述清洗腔室及所述外延腔室连接，并且具备向所述外延腔室搬运已完成所述清洗工艺的所述基板的基板处理器，所述清洗腔室具备：反应腔室，其与所述搬运腔室的侧面连接，并实现对所述基板的反应工艺；及加热腔室，其与所述搬运腔室的侧面连接，并实现对所述基板的加热工艺，所述反应腔室和所述加热腔室以上下形式载置。

主权项

一种半导体制造设备，其特征在于，所述半导体制造设备包括：清洗腔室，其实现对基板的清洗工艺；外延腔室，其实现在所述基板上形成外延层的外延工艺；缓冲腔室，所述缓冲腔室包括基板支架，所述基板支架具备用于载置所述基板的载置空间；以及搬运腔室，其侧面与所述清洗腔室、所述外延腔室以及所述缓冲腔室连接，并且具备将所述基板在所述清洗腔室、所述外延腔室和所述缓冲腔室之间搬运的基板处理器，其中所述载置空间具备：第一载置空间，其用于载置已完成所述清洗工艺的所述基板；和第二载置空间，其用于载置形成有所述外延层的所述基板，其中所述基板处理器将已完成所述清洗工艺的所述基板依次搬运到所述第一载置空间后，将所载置的在所述第一载置空间中的所述基板搬运至所述外延腔室，并且将形成有所述外延层的所述基板依次搬运到所述第二载置空间，所述清洗腔室具备：反应腔室，其与所述搬运腔室的侧面连接，并实现对所述基板的反应工艺；及加热腔室，其与所述搬运腔室的侧面连接，并实现对所述基板的加热工艺，所述反应腔室和所述加热腔室以上下形式载置。