薄膜晶体管、画素结构及其制造方法

摘要

一种薄膜晶体管，其包括一栅极、一氧化物半导体层、一栅介电层、一源极以及一漏极。栅介电层位于氧化物半导体层与栅极之间，而源极以及漏极分别与氧化物半导体层的不同部分接触，其中源极与该漏极分别具有一阶梯状侧壁，且氧化物半导体层覆盖部分阶梯状侧壁。本申请案另提供一种薄膜晶体管的制造方法。

主权项

一种薄膜晶体管的制造方法，包括：于一基板上依序形成一栅极与一栅介电层，其中该栅介电层覆盖该栅极；于该栅介电层上形成一源极与一漏极，其中该源极与该漏极分别具有一多阶梯状侧壁，该源极和该漏极设置在该栅介电层的平坦表面上，其中该多阶梯状侧壁分别为该源极与该漏极本身具有的，而不是依据其它不平坦的下层结构所间接形成的；以及于该栅介电层上形成一氧化物半导体层，以覆盖该源极与该漏极的部分该多阶梯状侧壁，其中该源极与该漏极分别与该氧化物半导体层的不同部分接触；其中，该氧化物半导体层的厚度小于该源极与该漏极的厚度，该氧化物半导体层的厚度介于100 Å与2000 Å之间，该源极与该漏极的厚度介于2000 Å与20000 Å之间；其中，形成具有该多阶梯状侧壁的该源极与该漏极的方法包括：于该栅介电层上形成一导电材料层；于该导电材料层上形成一半调式图案化光阻层，以将部分该导电材料层暴露，其中该半调式图案化光阻层具有多阶梯状侧壁；以及以该半调式图案化光阻层为罩幕，移除未被该半调式图案化光阻层覆盖的部分该导电材料层，直到部分该栅介电层被暴露出来为止；其中，该半调式图案化光阻层的该多阶梯状侧壁为该半调式图案化光阻层本身具有的，而不是依据其它不平坦的下层结构所间接形成的。