发明名称 一种肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜的制备方法
摘要 一种肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜的制备方法,包括以下步骤:在ZnS基板表面涂覆Ga;将涂有Ga的ZnS基板置于管式炉中保温一定时间后冷却至室温,得到肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜。本发明一种肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜的制备方法,将液态Ga涂覆于ZnS基板表面,通过热氧化在ZnS基板表面生成ZnO薄膜,解决了现有肖特基ZnO基LED驱动电压阈值高的问题,该方法操作简单、环境友好,所制备的氧化锌薄膜具有工作电压低、发光稳定等特点。
申请公布号 CN103811615B 申请公布日期 2016.06.22
申请号 CN201410040573.7 申请日期 2014.01.28
申请人 西安理工大学 发明人 杨卿;周小红
分类号 H01L33/28(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L33/28(2010.01)I
代理机构 西安弘理专利事务所 61214 代理人 李娜
主权项 一种肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,在ZnS基板表面涂覆Ga,得到涂有Ga的ZnS基板;步骤2,将所述步骤1得到的涂有Ga的ZnS基板置于管式炉中升温至一定温度保温一定时间后冷却至室温,得到肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜。
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