发明名称 |
一种肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜的制备方法 |
摘要 |
一种肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜的制备方法,包括以下步骤:在ZnS基板表面涂覆Ga;将涂有Ga的ZnS基板置于管式炉中保温一定时间后冷却至室温,得到肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜。本发明一种肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜的制备方法,将液态Ga涂覆于ZnS基板表面,通过热氧化在ZnS基板表面生成ZnO薄膜,解决了现有肖特基ZnO基LED驱动电压阈值高的问题,该方法操作简单、环境友好,所制备的氧化锌薄膜具有工作电压低、发光稳定等特点。 |
申请公布号 |
CN103811615B |
申请公布日期 |
2016.06.22 |
申请号 |
CN201410040573.7 |
申请日期 |
2014.01.28 |
申请人 |
西安理工大学 |
发明人 |
杨卿;周小红 |
分类号 |
H01L33/28(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/28(2010.01)I |
代理机构 |
西安弘理专利事务所 61214 |
代理人 |
李娜 |
主权项 |
一种肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,在ZnS基板表面涂覆Ga,得到涂有Ga的ZnS基板;步骤2,将所述步骤1得到的涂有Ga的ZnS基板置于管式炉中升温至一定温度保温一定时间后冷却至室温,得到肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜。 |
地址 |
710048 陕西省西安市金花南路5号 |