放射线摄像装置、放射线摄像显示系统以及晶体管

摘要

本发明公开了能够抑制由于暴露于放射线下而导致的阈值电压的偏移的晶体管、放射线摄像装置和放射线摄像显示系统。所述晶体管包括在基板上依次设置的第一栅极电极、第一栅极绝缘体、半导体层、第二栅极绝缘体和第二栅极电极。所述第一栅极绝缘体和所述第二栅极绝缘体每一者均包括一层或多层含有氧的硅化合物膜，且所述硅化合物膜的厚度总和为65nm以下。所述放射线摄像装置包括像素部，所述像素部包括光电转换元件和上述晶体管。所述放射线摄像显示系统包括上述摄像装置和显示装置，所述摄像装置基于放射线来获取图像，所述显示装置显示由所述摄像装置获取的图像。本发明通过将所述硅化合物膜的厚度总和设定为65nm以下，能够抑制阈值电压的偏移。

主权项

一种晶体管，其包括在基板上依次设置的第一栅极电极、第一栅极绝缘体、半导体层、第二栅极绝缘体和第二栅极电极，其中，所述第一栅极绝缘体和所述第二栅极绝缘体每一者均包括一层或多层含有氧的硅化合物膜，并且所述含有氧的硅化合物膜的厚度总和为65nm以下，其中，所述第一栅极绝缘体是由从所述基板侧依次层叠的氮化硅膜和氧化硅膜构成的层叠体，并且所述第二栅极绝缘体是由从所述第一栅极电极侧依次层叠的氧化硅膜、氮化硅膜和氧化硅膜构成的层叠体，其中，所述半导体层是由低温多晶硅、非晶硅或氧化物半导体制成的。