发明名称 |
半导体封装件及其制造方法 |
摘要 |
提供了半导体封装件和制造半导体封装件的方法。在一个实施例中,制造半导体封装件的方法包括,在层压衬底上形成多个第一晶圆开口。所述层压衬底具有正面和相反的背面。多个第一晶圆放置在所述多个第一晶圆开口内。在所述多个第一晶圆中的每个晶圆周围形成整体式间隔件。所述整体式间隔件设置在层压衬底和多个第一晶圆中的每个晶圆的外侧壁之间的间隙内。所述整体式间隔件通过在所述多个第一晶圆中的每个晶圆的顶表面的一部分上部分地延伸而将晶圆保持在层压衬底内。在层压衬底的正面上形成正面触点。 |
申请公布号 |
CN103311134B |
申请公布日期 |
2016.06.22 |
申请号 |
CN201310074066.0 |
申请日期 |
2013.03.08 |
申请人 |
英飞凌科技股份有限公司 |
发明人 |
马丁·斯坦丁;安德鲁·罗伯茨 |
分类号 |
H01L21/56(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/56(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
余刚;李静 |
主权项 |
一种制造半导体封装件的方法,所述方法包括:在层压衬底上形成多个第一晶圆开口,所述层压衬底具有正面和相反的背面;将多个第一晶圆放置在所述多个第一晶圆开口内;在所述多个第一晶圆中的每个晶圆周围形成整体式间隔件,所述整体式间隔件设置在所述层压衬底与所述多个第一晶圆中的每个晶圆的外侧壁之间的间隙内,所述整体式间隔件通过在所述多个第一晶圆中的每个晶圆的顶表面的一部分上部分地延伸而将所述晶圆保持在所述层压衬底内,其中,形成所述整体式间隔件包括:在所述多个第一晶圆中的每个晶圆的周边周围的第一区域内沉积间隔件材料;以及从所述第一区域移除所述间隔件材料的一部分,以形成所述整体式间隔件;以及在所述层压衬底的所述正面上形成正面触点。 |
地址 |
德国瑙伊比贝尔格市 |