NMOS金属栅电极的制作方法

摘要

本发明公开了一种NMOS金属栅电极的制作方法：在半导体衬底表面形成栅极结构，栅极结构包括位于多晶硅替代栅极下方与半导体衬底接触的高介电常数栅氧化层和位于多晶硅替代栅极两侧的侧壁层；在栅极结构两侧的半导体衬底上进行N型掺杂形成源区和漏区；沉积层间介质层，所述层间介质层覆盖半导体衬底表面和栅极结构，对所述层间介质层进行化学机械研磨至显露出多晶硅替代栅极；去除预定部分多晶硅替代栅极，并在剩余多晶硅替代栅极表面外延形成具有压应力的锗化硅层，将横向张应力传递至源区和漏区之间的沟道区；去除剩余多晶硅替代栅极和外延形成的具有压应力的锗化硅层，在多晶硅替代栅极的位置沉积形成金属栅电极。从而准确对沟道施加应力。

主权项

一种NMOS金属栅电极的制作方法，该方法包括：在半导体衬底表面形成栅极结构，所述栅极结构包括位于多晶硅替代栅极下方与半导体衬底接触的高介电常数栅氧化层和位于多晶硅替代栅极两侧的侧壁层；在栅极结构两侧的半导体衬底上进行N型掺杂形成源区和漏区；沉积层间介质层，所述层间介质层覆盖半导体衬底表面和栅极结构，对所述层间介质层进行化学机械研磨至显露出多晶硅替代栅极；去除预定部分多晶硅替代栅极，并在剩余多晶硅替代栅极表面外延形成具有压应力的锗化硅层，将横向张应力传递至源区和漏区之间的沟道区域；去除剩余多晶硅替代栅极和外延形成的具有压应力的锗化硅层，在多晶硅替代栅极的位置沉积形成金属栅电极。