半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置的制造方法。一个实施方式的目的之一是对包括氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，以实现高可靠性化。一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜上形成源电极及漏电极以及与源电极及漏电极电连接的氧化物半导体膜；对氧化物半导体膜进行热处理以去除氧化物半导体膜中的氢原子；对去除了氢原子的氧化物半导体膜进行氧掺杂处理来对氧化物半导体膜供给氧原子；在被供给有氧原子的氧化物半导体膜上形成第二绝缘膜；以及在第二绝缘膜上的与氧化物半导体膜重叠的区域上形成栅电极。

主权项

一种半导体装置，包括：包含沟道形成区的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包含铟、锌和镓；包含硅和氧的绝缘层；以及在所述氧化物半导体层与所述绝缘层之间的金属氧化物层，所述金属氧化物层包含铟、锌和镓，其中所述氧化物半导体层的至少一部分包含比所述氧化物半导体层的化学计量比更高的量的氧。