| 发明名称 | 一种复合透明导电层的制作工艺 | ||
| 摘要 | 一种复合透明导电层的制作工艺，涉及发光二极管LED芯片、太阳能电池、光电探测器等光电半导体器件的生产技术领域。本发明先在基础材料上形成10nm～300nm的透明导电薄膜层，在所述透明导电薄膜层上蒸镀具有高反射率的金属层，然后再通过100～500℃的合金工艺，制成复合透明导电层。此纳米金属颗粒会促进电流在晶界处（晶粒与晶粒之间）的扩散，相比于常规透明导电层，该复合透明导电层将拥有更好电流扩散效果，应用于光电半导体器件中能增加半导体器件的外量子效率。 | ||
| 申请公布号 | CN105702828A | 申请公布日期 | 2016.06.22 |
| 申请号 | CN201610212122.6 | 申请日期 | 2016.04.07 |
| 申请人 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 发明人 | 陈亮;李俊贤;吕奇孟;吴奇隆;陈凯轩;张永;刘英策;李小平;魏振东;周弘毅;黄新茂;蔡立鹤;林志伟;姜伟;卓祥景;方天足 |
| 分类号 | H01L33/40(2010.01)I;H01L33/42(2010.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/40(2010.01)I |
| 代理机构 | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人 | 江平 |
| 主权项 | 一种复合透明导电层的制作工艺，其特征在于：先在基础材料上形成10nm～300nm的透明导电薄膜层，在所述透明导电薄膜层上蒸镀具有高反射率的金属层，然后再通过100～500℃的合金工艺，制成复合透明导电层。 | ||
| 地址 | 361000 福建省厦门市火炬（翔安）产业区翔岳路19号 | ||