一种空腔结构刻蚀后清洗和干燥的方法

摘要

本发明提供一种空腔结构刻蚀后清洗和干燥的方法,其首先对刻蚀后的硅片进行硅屑漂洗工艺处理，漂洗工艺结束后将硅片放入普通的甩干机中，将甩干机的程序设置为：转速1000-1200r/min，工艺时间20-30min，整个工艺过程通入氮气，对硅片进行甩干处理。本发明的方法能够很好的解决特殊工艺中空腔结构清洗后圆片干燥的问题，工艺过程中圆片上空腔结构保存完整，为下步工艺提供可能，能够保证特殊工艺中具有空腔结构产品开发的顺利进行。

主权项

一种空腔结构刻蚀后清洗和干燥的方法，其包括如下步骤：对通过深硅刻蚀工艺刻蚀出空腔结构的硅片进行硅屑漂洗工艺处理的步骤；将漂洗后的硅片放入甩干机中进行匀速甩干处理的步骤，其中甩干处理是控制甩干机在前2分钟转速由0匀加速升到1000转/分钟‑1200转/分钟，然后控制甩干机保持1000转/分钟‑1200转/分钟的转速持续20分钟‑30分钟的匀速转动，最后由1000转/分钟‑1200转/分钟在2分钟降到0。