发明名称 |
衬底处理装置及半导体器件的制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种衬底处理装置及半导体器件的制造方法,能够将清洗气体高效地供给到喷头内的期望部位。一种衬底处理装置,经由作为气体分散机构的喷头向处理空间供给气体并对该处理空间内的衬底进行处理,具有:与上述喷头连接的气体供给管;与上述喷头连接的气体排气管;和清洗气体供给系统,其与上述气体供给管和上述气体排气管连接,并从上述气体供给管和上述气体排气管双方向上述喷头内供给清洗气体。 |
申请公布号 |
CN104934313B |
申请公布日期 |
2016.06.22 |
申请号 |
CN201410350121.9 |
申请日期 |
2014.07.22 |
申请人 |
株式会社日立国际电气 |
发明人 |
八幡橘 |
分类号 |
H01L21/31(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/31(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 11256 |
代理人 |
陈伟 |
主权项 |
一种衬底处理装置,经由作为气体分散机构的喷头向处理空间供给气体并对该处理空间内的衬底进行处理,其特征在于,具有:与所述喷头连接的气体供给管;与所述喷头连接的气体排气管;将所述气体供给管和所述气体排气管连接的连接管;处理气体供给系统,其连接于所述气体供给管的比所述气体供给管与所述连接管的连接部位靠气体供给方向下游侧的位置,且向该气体供给管内供给对所述衬底进行处理的处理气体;清洗气体供给系统,其与所述气体供给管连接,且经由所述连接管与所述气体排气管连接,并从所述气体供给管和所述气体排气管双方向所述喷头内供给清洗气体,并且设置于所述气体供给管的比所述气体供给管与所述连接管的连接部位靠气体供给方向上游侧的位置。 |
地址 |
日本东京都 |