| 发明名称 | 一种碳化硅单晶生长中籽晶粘接的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种碳化硅单晶生长中籽晶粘接的方法，该方法包括：步骤1）将硅粉和碳粉均匀混合；步骤2）将步骤1）混合后的粉末覆于石墨坩埚盖上；步骤3）将碳化硅籽晶置于步骤2）中的粉末上；步骤4）放入将所述碳化硅籽晶和所述石墨坩埚盖一同放入加热炉中加热，使硅粉、碳粉、碳化硅籽晶和石墨坩埚盖相互反应，最终将碳化硅籽晶粘合在石墨坩埚盖上。该粘接方法均匀、牢固、不引入杂质。 | ||
| 申请公布号 | CN105696069A | 申请公布日期 | 2016.06.22 |
| 申请号 | CN201610241794.X | 申请日期 | 2016.04.19 |
| 申请人 | 北京世纪金光半导体有限公司 | 发明人 | 何丽娟;刘欣宇;张云伟;靳丽婕 |
| 分类号 | C30B23/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I | 主分类号 | C30B23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人 | 尹振启;张希宇 |
| 主权项 | 一种碳化硅单晶生长中籽晶粘接的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤1）将硅粉和碳粉均匀混合；步骤2）将步骤1）混合后的粉末覆于石墨坩埚盖上；步骤3）将碳化硅籽晶置于步骤2）中的粉末上；步骤4）放入将所述碳化硅籽晶和所述石墨坩埚盖一同放入加热炉中加热，使硅粉、碳粉、碳化硅籽晶和石墨坩埚盖相互反应，最终将碳化硅籽晶粘合在石墨坩埚盖上。 | ||
| 地址 | 101111 北京市通州区经济技术开发区通惠干渠路17号院 | ||