| 发明名称 | 超级结器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种超级结器件，在N型外延中具有平行的P柱沟槽，P柱沟槽之间为体区，在体区与P柱的交界处具有沟槽型栅极；所述沟槽型栅极是沟槽内壁附着氧化层后填充多晶硅形成，P柱与体区通过沟槽型栅极隔离。本发明通过新的沟槽型栅极的位置，通过沟槽型栅极将P柱与体区隔离开来，在缩小沟槽间距的同时保证沟道附近有足够的电流导通区域保证导通电阻不受影响。P柱与体区的隔离也可以对P柱和体区的电势分别进行调节，进而控制器件的关断速度。 | ||
| 申请公布号 | CN105702711A | 申请公布日期 | 2016.06.22 |
| 申请号 | CN201610065809.1 | 申请日期 | 2016.01.29 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 王飞 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种超级结器件，其特征在于：在N型外延中具有平行的P柱沟槽，P柱沟槽之间为体区，在体区与P柱的交界处具有沟槽型栅极；所述沟槽型栅极是沟槽内壁附着氧化层后填充多晶硅形成。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||