| 发明名称 | 监控MEMS释放过程性能的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种监控MEMS释放过程性能的方法，包括：提供一半导体晶片，在其上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成透明材料；在所述透明材料上形成释放孔；通过所述释放孔去除所述牺牲层；通过透明材料可以监控是否有牺牲层的残留，以此监控MEMS释放过程的性能，及时发现释放过程中的异常，避免对器件的性能造成影响，最终提高器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104743497B | 申请公布日期 | 2016.06.22 |
| 申请号 | CN201310739278.6 | 申请日期 | 2013.12.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李杨珍;郑召星;袁俊;郭亮良;郑超 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B81C99/00(2010.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种监控MEMS释放过程性能的方法，其特征在于，包括：提供一半导体晶片，在其上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成透明材料；在所述透明材料上形成释放孔；通过所述释放孔去除所述牺牲层；其中，在形成所述透明材料之前还包括，在所述牺牲层上形成非透明材料，去除部分所述非透明材料暴露出所述牺牲层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||