LED外延片、其制作方法及包含其的LED芯片

摘要

本发明公开了一种LED外延片、其制作方法及包括其的LED芯片。该外延片包括：由衬底表面向外依次设置的未掺杂GaN层、N型GaN层、有源层以及P型GaN层，有源层包括一组或多组量子阱层，各量子阱层包括沿远离衬底的方向依次设置的InGaN势阱层、GaN势垒层和MgN势垒层。该方法包括以下步骤：由衬底表面向外依次形成未掺杂GaN层、N型GaN层、有源层以及P型GaN层，形成有源层的步骤包括依次形成一组或多组量子阱层，形成各量子阱层的步骤包括：由N型GaN层表面向外的方向，依次形成InGaN势阱层、GaN势垒层和MgN势垒层。采用本发明提供的LED外延片的制作方法所得到LED的亮度和内量子效率得到提升。

主权项

一种LED外延片，包括由衬底(10)表面向外依次设置的GaN层(20)、N型GaN层(30)、有源层(40)以及P型GaN层(50)，所述有源层(40)包括一组或多组量子阱层，其特征在于，各量子阱层由所述N型GaN层表面向外的方向上依次包括InGaN势阱层(41)、GaN势垒层(43)和MgN势垒层(45)。