发明名称 |
基于能带调制的双重量子点敏化氧化物复合光催化材料 |
摘要 |
本发明涉及一种基于能带调制的双重量子点敏化石墨烯/氧化物复合结构光催化材料的制备方法,属于半导体材料光催化领域。本发明在能带调制原理下,利用石墨烯与氧化物形成复合结构,通过能级位置的差别实现复合结构中光生载流子的有效分离,采用窄带隙半导体量子点对氧化锌进行敏化,采用金属量子点对石墨烯进行敏化,在进一步增加光生载流子的分离和传递的同时,还可以拓宽光谱响应范围。本发明的优势是在宽的光谱响应范围下,利用双重量子点敏化既可以实现载流子的分离,又能够促进光生电子和空穴的快速传递,减少复合几率。 |
申请公布号 |
CN105688939A |
申请公布日期 |
2016.06.22 |
申请号 |
CN201610108827.3 |
申请日期 |
2016.02.29 |
申请人 |
长春理工大学 |
发明人 |
魏志鹏;方铉;李金华;楚学影;苗元华;方芳;李如雪;陈雪;王晓华 |
分类号 |
B01J27/045(2006.01)I;B01J27/04(2006.01)I |
主分类号 |
B01J27/045(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
本发明涉及一种基于能带调制的双重量子点敏化石墨烯/氧化物复合结构光催化材料的制备方法,其特征在于,首先利用溅射或沉积等方法在衬底材料上生长金属量子点材料(Pt、Au、Ag等);其次利用化学气相沉积(CVD)制备石墨烯并迁移至已沉积金属量子点的衬底材料表面;在此基础上采用原子层沉积(ALD)进一步生长氧化物薄膜;最后采用化学浴(CBD)方法在金属量子点敏化的石墨烯/氧化物复合结构上生长窄带隙半导体量子点(CdSe、CdS等)材料,得到双重量子点敏化的石墨烯/氧化物复合光催化材料。 |
地址 |
130022 吉林省长春市朝阳区卫星路7089号 |