发明名称 半导体装置及电子设备
摘要 本发明提供能够抑制电源电压上升之后高电平信号非意图地输出的半导体装置及电子设备。半导体装置包括:第一缓冲电路、电平转移电路及第二缓冲电路。通过对第一缓冲电路供给第一电位,并对电平转移电路及第二缓冲电路供给第二电位,来恢复到原来的状态。在供给第二电位之前供给第一电位。通过先对第一缓冲电路供给第一电位,来成为能控制电平转移电路及第二缓冲电路的工作的状态,由此抑制高电平信号非意图地输出到连接到第二缓冲电路的布线。
申请公布号 CN105703760A 申请公布日期 2016.06.22
申请号 CN201510941255.2 申请日期 2015.12.16
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 井上広树;松嵜隆德;长塚修平;石津贵彦;大贯达也
分类号 H03K19/003(2006.01)I 主分类号 H03K19/003(2006.01)I
代理机构 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人 周善来;王玉玲
主权项 一种半导体装置,其包括:第一缓冲电路;电平转移电路;第二缓冲电路;以及第一布线、第二布线及第三布线,其中,所述电平转移电路及所述第二缓冲电路的每一个与所述第二布线及所述第三布线电连接,其中,通过将供给到所述第一布线的电位从第三电位转换为第一电位,对所述第一缓冲电路施加电源电压,其中,通过将供给到所述第二布线的电位从所述第三电位转换为第二电位,对所述电平转移电路及所述第二缓冲电路施加电源电压,其中,在将供给到所述第一布线的所述电位从所述第三电位转换为所述第一电位之后,将供给到所述第二布线的所述电位从所述第三电位转换为所述第二电位,其中,所述第二电位比所述第一电位高,并且,其中,所述第三电位比所述第一电位及所述第二电位低。
地址 日本神奈川县
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