一种提高BiTeSe基N型半导体热电材料性能的方法

摘要

本发明公开了一种提高BiTeSe基N型半导体热电材料性能的方法，其特征在于，将Bi，Te，Se颗粒按一定化学计量比配制母合金，并向所述母合金中加入0.3wt％KI，混合均匀,然后在950～1050℃下熔炼掺杂的母合金，随后浇铸到模具中冷却凝固，即得到高性能的BiTeSe基N型半导体块体热电材料。本发明首次将液液结构转变这个物理现象引入到热电材料制备领域，通过控制母系合金的熔体状态，直接操纵凝固组织，并结合KI掺杂，优化了BiTeSe基热电材料的性能。与现有方法相比，本发明在大幅度提升热电优值的基础上，具有清洁无污染，无需特种设备，操作简单，周期短，成本低等优点，特别适合于商业化大规模生产和应用。

主权项

一种提高BiTeSe基N型半导体热电材料性能的方法，其特征在于，将Bi,Te,Se颗粒按一定化学计量比配制母合金，并向所述母合金中加入0.3wt％KI,混合均匀，然后在950～1050℃下熔炼掺杂的母合金，随后浇铸到模具中冷却凝固，即得到高性能的BiTeSe基N型半导体热电材料。