带有变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法

摘要

具有由SrTiO₃系晶界绝缘型的半导体陶瓷形成的多个半导体陶瓷层(1a～1g)、和多个内部电极层(2a～2f)被交替层叠并烧结而成的部件基体(4)。所述半导体陶瓷的结晶粒子的平均粒径为1.0μm以下，并且，表示所述结晶粒子的粒径偏差的变动系数为30％以下。称量规定量的Sr化合物、Ti化合物以及供体化合物并混合粉碎，制作预烧粉末，将分散剂与受体化合物一起添加进行湿式混合之后，制作热处理粉末，将该热处理粉末浆料化并进行过滤处理，使用该被过滤处理的浆料来进行制作。由此，实现了即使ESD反复产生也能够抑制绝缘性的降低、能够确保所希望的电特性的耐久性优良的带有变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法。

主权项

一种带有变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器，具有：层叠烧结体，由SrTiO₃系晶界绝缘型的半导体陶瓷形成的多个半导体陶瓷层和多个内部电极层被交替层叠并进行烧结而成；和外部电极，其在该层叠烧结体的两端部与所述内部电极层电连接，所述带有变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器的特征在于，所述半导体陶瓷的结晶粒子的平均粒径Dave为1.0μm以下，并且，表示所述结晶粒子的粒径偏差的变动系数CV为30％以下。