一种快恢复二极管及其制作方法

摘要

本发明涉及一种快恢复二极管及其制作方法，二极管包括衬底和P+区，所述P+区在衬底上形成，共同构成PN结，其中衬底为二极管的阴极，P+区为二极管阳极；在阳极P+区的表面注入氢或氦，形成局域寿命控制层；本发明的二极管恢复特性既快且软；由于局域寿命控制层的存在，器件不需要过多的全局复合中心，可以降低器件漏电，提高器件雪崩耐量；配合电子辐照与铂掺杂，可以实现正向压降温度系数微正的器件，利于并联；可以对器件阳极及阴极的结构及掺杂进行调整，利于提高器件的正向浪涌及动态雪崩能力。

主权项

一种快恢复二极管，所述二极管包括衬底和其上形成的P+区共同构成的PN结，其中衬底为二极管的阴极，P+区为二极管阳极；其特征在于，在阳极P+区的表面注入氢或氦，形成局域寿命控制层；所述衬底为均匀掺杂的N型硅衬底，所述N型硅衬底包括依次分布的衬底N‑层以及衬底N+层；在所述衬底N‑层上生长有氧化层。