| 发明名称 | 控制多晶硅栅极关键尺寸均匀性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种控制多晶硅栅极关键尺寸均匀性的方法，包括：第一步骤：建立密封的反应腔体内的托盘的表面的各个距离处，反应腔侧壁上生成的SiO<sub>2</sub>Cl<sub>4</sub>析出的氧离子浓度与反应腔侧壁使用时数之间的第一关系；第二步骤：建立氧离子浓度和关键尺寸的第二关系；第三步骤：利用化学气相沉积在反应腔侧壁上生成预定厚度的SiO<sub>2</sub>Cl<sub>4</sub>；第四步骤：将晶圆置于托盘之上；第五步骤：根据建立的所述第一关系和所述第二关系，基于期望得到的多晶硅栅极尺寸以及使用的反应腔的反应腔侧壁使用时数，设置反应腔体内的托盘的不同区域的温度；第六步骤：在设置的温度下，对晶圆进行多晶硅刻蚀。 | ||
| 申请公布号 | CN105702571A | 申请公布日期 | 2016.06.22 |
| 申请号 | CN201610173911.3 | 申请日期 | 2016.03.24 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 许进;唐在峰;陈敏杰;任昱;吕煜坤 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 智云 |
| 主权项 | 一种控制多晶硅栅极关键尺寸均匀性的方法，其特征在于包括：第一步骤：建立密封的反应腔体内的托盘的表面的各个距离处，反应腔侧壁上生成的SiO<sub>2</sub>Cl<sub>4</sub>析出的氧离子浓度与反应腔侧壁使用时数之间的第一关系；第二步骤：建立氧离子浓度和关键尺寸的第二关系；第三步骤：利用化学气相沉积在反应腔侧壁上生成预定厚度的SiO<sub>2</sub>Cl<sub>4</sub>；第四步骤：将晶圆置于托盘之上；第五步骤：根据建立的所述第一关系和所述第二关系，基于期望得到的多晶硅栅极尺寸以及使用的反应腔的反应腔侧壁使用时数，设置反应腔体内的托盘的不同区域的温度；第六步骤：在设置的温度下，对晶圆进行多晶硅刻蚀。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||