薄膜晶体管及制备方法

摘要

一种薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：在基板上依次形成半导体层及第一栅极绝缘层；在第一栅极绝缘层上形成光刻胶图案，光刻胶图案包括第一光刻胶层及第二光刻胶层，第一光刻胶层的厚度大于第二光刻胶层的厚度；以光刻胶图案为掩模，对半导体层及第一栅极绝缘层进行第一次刻蚀处理；除去第二光刻胶层；对第一栅极绝缘层进行第二次刻蚀处理，以除去至少部分第一栅极绝缘层未被第一光刻胶层覆盖的区域的厚度；除去第一光刻胶层；在第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层；在第二栅极绝缘层上形成栅极。上述薄膜晶体管的制备方法，增加了驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅，提高了AMOLED的驱动性能。

主权项

一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在基板上依次形成半导体层及第一栅极绝缘层；在所述第一栅极绝缘层上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括第一光刻胶层及第二光刻胶层，所述第一光刻胶层对应所述半导体层中待形成驱动薄膜晶体管的区域，所述第二光刻胶层对应所述半导体层中待形成开关薄膜晶体管的区域，所述第一光刻胶层的厚度大于所述第二光刻胶层的厚度；以所述光刻胶图案为掩模，对所述半导体层及所述第一栅极绝缘层进行第一次刻蚀处理，以除去所述半导体层及所述第一栅极绝缘层上未被光刻胶图案覆盖的区域；除去所述第二光刻胶层；对所述第一栅极绝缘层进行第二次刻蚀处理，以除去至少部分所述第一栅极绝缘层未被第一光刻胶层覆盖的区域的厚度；除去所述第一光刻胶层；在所述第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层；在所述第二栅极绝缘层上形成栅极。