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Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Bonden einer ersten Kontaktfläche (3) eines ersten Substrats (1) mit einer zweiten Kontaktfläche (4) eines zweiten Substrats (2), wobei das zweite Substrat (2) zumindest eine Reaktionsschicht (7) aufweist, mit folgenden Merkmalen.
- eine Bondkammer (20, 20', 27),
- eine erste Elektrode (21) und eine gegenüberliegend angeordnete zweite Elektrode (22),
- Aufnahmemittel zur Aufnahme der Substrate (2, 3) zwischen die erste Elektrode (21) und die zweite Elektrode (22),
- Reservoirbildungsmittel zur Ausbildung eines Reservoirs (5) in einer Reservoirbildungsschicht (6) an der ersten Kontaktfläche (3) durch Beaufschlagung der ersten Kontaktfläche (3) mit einem mittels kapazitiver Kopplung der Elektroden (21, 22) erzeugten Plasma, wobei an der ersten Elektrode (21) während der Plasmaerzeugung eine von einer zweiten Frequenz (f 22 ) der zweiten Elektrode (22) unterschiedliche erste Frequenz (f 21 ) anlegbar ist,
- Mittel zum Kontaktieren der ersten Kontaktfläche (3) mit der zweiten Kontaktfläche (4) zur Ausbildung einer Pre-Bond-Verbindung,
wobei die Vorrichtung eine Kammer zur Ausbildung des Reservoirs und eine separat dazu vorgesehene Kammer zur Füllung des Reservoirs und einer, insbesondere separat vorgesehenen Kammer zur Ausbildung der Pre-Bond-Verbindung aufweist, die direkt über ein Vakuumsystem miteinander verbunden sind. |
