发明名称 |
电容阵列及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种电容阵列及其制造方法,该电容阵列包含多个电容和支撑框架。每个电容包含一个电极。此支撑框架支持多个电极并且包含多个对应于多个电极的支撑结构。每个支撑结构会环绕各自的电极。该支撑框架会包含已掺杂可氧化材料的氧化物。该支撑框架可避免电极倾斜和中间部分摆动等问题。 |
申请公布号 |
CN103178061B |
申请公布日期 |
2016.06.22 |
申请号 |
CN201210523871.2 |
申请日期 |
2012.12.07 |
申请人 |
南亚科技股份有限公司 |
发明人 |
黄仁瑞;李哲奇;蔡士竖;陈政顺;许绍达;赖朝文;谢君毅;林靖凯 |
分类号 |
H01L27/108(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/108(2006.01)I |
代理机构 |
隆天知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
赵根喜;吕俊清 |
主权项 |
一种电容阵列包含:多个电容,各电容包含一个竖立电极;以及一个支撑框架,用于支撑该多个竖立电极,该支撑框架包含对应该多个电极的多个支撑结构,各支撑结构围绕着对应的电极,又该支撑框架包含多晶硅氧化物;该支撑框架包含将该支撑结构连接在一起的多个接合部分,每一电极的该支撑结构,通过该接合部分,最多与该电极的相邻电极的四个该支撑结构相连接;多个电极中的每一电极包括具有一内表面和一外表面的一圆柱形电极,以及覆盖并直接接触该圆柱形电极的实质上全部的该内表面与该外表面的一电容介电材料。 |
地址 |
中国台湾桃园县 |