| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在制造半导体装置的终端构造时，存在离子注入的工序或者光刻工序的数量增加而制造成本增加的情况。为了解决该问题，提供一种半导体装置，具备：n型的漂移层，形成于半导体基板上；元件区域，形成于漂移层的表层部；凹槽部，从元件区域隔开规定的间隔在外侧的漂移层中环状地形成；以及p型的杂质区域，从凹槽部的底部到凹槽部的内侧被形成，相比于有凹槽部的部位，在无凹槽部的部位更厚。 | ||
| 申请公布号 | CN103460386B | 申请公布日期 | 2016.06.22 |
| 申请号 | CN201280014798.4 | 申请日期 | 2012.03.12 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 大塚健一;渡边宽 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 崔成哲 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：在半导体基板上形成第1导电类型的漂移层的工序；在所述漂移层中以包围成为元件区域的区域的方式形成环状的凹槽部的工序；在所述凹槽部以及所述漂移层的表面上形成平坦化膜的工序；以及在所述平坦化膜上形成使从所述凹槽部的底部到所述凹槽部的内侧的规定的位置的部位成为开口的抗蚀剂掩模而向所述漂移层离子注入第2导电类型的杂质的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||