| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底具有位于GaN层上的AlGaN层。该半导体器件还包括第一接触和第二接触。所述AlGaN层的平均厚度在所述第一接触和所述第二接触之间变化，用于在所述第一接触和所述第二接触之间调节所述GaN层中的电子气的密度。 | ||
| 申请公布号 | CN103165668B | 申请公布日期 | 2016.06.22 |
| 申请号 | CN201210548299.5 | 申请日期 | 2012.12.17 |
| 申请人 | NXP股份有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 马库斯·穆勒;安可·赫琳哈 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蔡纯 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：包括位于GaN层上的AlGaN层的半导体衬底；第一接触，和第二接触，其中，所述AlGaN层的在所述第一接触和所述第二接触之间的上表面包括用于改变所述AlGaN层的平均厚度的多个排列成阵列的凹部，用于在所述第一接触和所述第二接触之间调节所述GaN层中的电子气的密度；其中所述凹部的密度变化，用于改变所述AlGaN层的平均厚度。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||