一种聚酰亚胺阻变存储器的制备方法

摘要

本发明公开了一种聚酰亚胺阻变存储器的制备方法，所述存储器由基底、底电极、聚酰亚胺功能层和顶电极构成。所述制备方法是将合成聚酰亚胺所用的二元胺和二酐单体按1：1-1.03的比例，在酰胺类溶剂中经缩合聚合得到聚酰胺酸溶液，利用旋涂法将聚酰胺酸涂于氧化铟锡玻璃上得到聚酰胺酸薄膜，随后将聚酰胺酸薄膜亚胺化形成聚酰亚胺功能层，在聚酰亚胺功能层上制备顶电极得到聚酰亚胺阻变存储器。该存储器表现出典型的电双稳态性质，具有良好的电存储性能，开关比大于10⁵，跳变电压约为2V。

主权项

一种聚酰亚胺阻变存储器的制备方法，其特征是包括如下步骤：（1）按1:1‑1:1.03的摩尔比称取单体二元胺和二酐，将二元胺单体溶于酰胺类溶剂，将反应温度控制在20‑50℃，慢慢加入二酐单体，待全部加完后继续搅拌1.5h‑3h，制得聚酰胺酸溶液；（2）用酰胺类溶剂将聚酰胺酸溶液稀释至浓度为0.20%‑1.00%，将稀释后的溶液用匀胶机旋涂到氧化铟锡玻璃片上，旋涂的层数为1‑8层，随后将该氧化铟锡玻璃片置于70℃‑100℃的电热板上加热烘干，在氧化铟锡玻璃片上形成聚酰胺酸薄膜；（3）将涂覆有聚酰胺酸薄膜的氧化铟锡玻璃片置于烘箱中，于200℃‑280℃下高温亚胺化0.5h‑2h，随后自然冷却至室温，得到聚酰亚胺功能层；（4）在步骤（3）所得的聚酰亚胺功能层上制备一层电极作为顶电极，完成聚酰亚胺阻变存储器的制备。