TFT阵列基板的制作方法

摘要

本发明提供一种TFT阵列基板的制作方法，在源极与漏极上涂布形成平坦层后，先不做过孔处理，然后沉积并图案化公共电极层、沉积并图案化钝化保护层，在钝化保护层上形成过孔至露出平坦层后，再对平坦层进行灰化处理形成过孔以露出漏极，相比于现有的先在平坦层形成过孔后再沉积并图案化公共电极层的方法，该方法不会导致图案化公共电极层时导电材料残留于平坦层的过孔内而使平坦层过孔处出现短路的问题，另外在像素区域内在平坦层上通过采用灰化处理的干蚀刻方式形成过孔，可使形成的过孔具有较高的斜坡角度，从而一定程度可减少TFT的大小，有利于提高像素密度。

主权项

一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下依次进行的步骤：形成源极与漏极的步骤；在源极与漏极上形成整面的有机光阻材料的平坦层(70)的步骤；在平坦层(70)上沉积并图案化公共电极层，得到公共电极(81)的步骤；在公共电极(81)上沉积钝化保护层(90)，并对钝化保护层(90)进行图案化处理，得到对应于漏极上方的过孔并露出平坦层(70)的步骤；对露出的平坦层(70)进行灰化处理，形成过孔以露出漏极的步骤；在钝化保护层(90)上沉积并图案化像素电极层，得到像素电极(95)的步骤。