| 发明名称 | 一种基于黑磷/二硫化钼异质结能量带隙可调的光探测器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于黑磷/二硫化钼异质结能量带隙可调的光探测器，涉及光探测技术领域，解决器件不具有宽光谱、快速、低噪声的响应特性问题。本发明包括二氧化硅衬底层，从下到上依次设置在二氧化硅衬底层上的第一石墨烯层、第一隔离介质层、二硫化钼层、黑磷导电层、第二隔离介质层和第二石墨烯层；所述二硫化钼层和黑磷导电层构成异质结结构；所述黑磷导电层上设置有第一引出电极和第二引出电极，第二隔离介质层和第二石墨烯层将第一引出电极和第二引出电极隔开；所述第一石墨烯层延伸出第一隔离介质层，在延伸的第一石墨烯层上设置有第一电极，所述第二石墨烯层上设置第二电极，形成平板电容结构。本发明用于实现宽光谱、超快响应的光探测器。 | ||
| 申请公布号 | CN105702775A | 申请公布日期 | 2016.06.22 |
| 申请号 | CN201610155939.4 | 申请日期 | 2016.03.18 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 陆荣国;叶胜威;田朝辉;寿晓峰;陈德军;张尚剑;刘永 |
| 分类号 | H01L31/109(2006.01)I;H01L31/0264(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/109(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人 | 徐金琼 |
| 主权项 | 一种基于黑磷/二硫化钼异质结能量带隙可调的光探测器，其特征在于：包括二氧化硅衬底层(1)，从下到上依次设置在二氧化硅衬底层(1)上的第一石墨烯层(21)、第一隔离介质层(31)、二硫化钼层(4)、黑磷导电层(5)、第二隔离介质层(32)和第二石墨烯层(22)；所述二硫化钼层(4)和黑磷导电层(5)构成异质结结构；所述黑磷导电层(5)上设置有第一引出电极(71)和第二引出电极(72)，第二隔离介质层(32)和第二石墨烯层(22)将第一引出电极(71)和第二引出电极(72)隔开；所述第一石墨烯层(21)延伸出第一隔离介质层(31)，在延伸的第一石墨烯层(21)上设置有第一电极(61)，所述第二石墨烯层(22)上设置第二电极(62)，形成平板电容结构。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||