| 发明名称 | 具有双功函数栅极结构的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括：本体，包括第一结区；柱体，设置在本体之上并且包括垂直沟道区和垂直沟道区之上的第二结区；栅极沟槽，暴露柱体的侧表面；栅极电介质层，覆盖栅极沟槽；以及栅电极，嵌入栅极沟槽中，其中栅极电介质层插入在栅电极与栅极沟槽之间。栅电极包括：第一功函数内衬，与垂直沟道区重叠并且包括含铝金属氮化物；第二功函数内衬，与第二结区重叠并且包括含硅非金属材料；以及空气间隙，设置在第二功函数内衬与第二结区之间。 | ||
| 申请公布号 | CN105702714A | 申请公布日期 | 2016.06.22 |
| 申请号 | CN201510571802.2 | 申请日期 | 2015.09.09 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 吴泰京 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;许伟群 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：本体，包括第一结区；柱体，设置在本体之上并且包括垂直沟道区和垂直沟道区之上的第二结区；栅极沟槽，暴露柱体的侧表面；栅极电介质层，提供在栅极沟槽中和柱体的侧表面之上；以及栅电极，提供在栅极沟槽中，其中栅极电介质层插入在栅电极和栅极沟槽之间，其中栅电极包括：第一功函数内衬，位于垂直沟道区之上并且包括含铝金属氮化物；第二功函数内衬，位于第二结区之上并且包括含硅非金属材料；以及空气间隙，设置在第二功函数内衬与第二结区之间。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||