发明名称 | 一种P-N型温差电元件性能匹配方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种P-N型温差电元件性能匹配方法。本发明属于温差电技术领域。一种P-N型温差电元件性能匹配方法,其特点是:P-N型温差电元件的N、P型元件为具有相同高度圆柱体,计算N、P型材料的冷端温度~工作温度的电导率平均值,根据二者的平均电导率数值差异,将两种元件设计成不同的截面积,以使二者的单体内阻相同。本发明综合考虑P/N温差电元件的工作现状,设计全新P/N型温差电元件性能匹配设计方法,实现二者的热阻和电阻匹配,进而具有显著提升所制作温差电单偶的电输出性能等优点。 | ||
申请公布号 | CN105702848A | 申请公布日期 | 2016.06.22 |
申请号 | CN201410705417.8 | 申请日期 | 2014.11.27 |
申请人 | 中国电子科技集团公司第十八研究所 | 发明人 | 张丽丽;刘静榕;任保国 |
分类号 | H01L35/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L35/28(2006.01)I |
代理机构 | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人 | 李凤 |
主权项 | 一种P‑N型温差电元件性能匹配方法,其特征是:P‑N型温差电元件的N、P型元件为具有相同高度圆柱体,计算N、P型材料的冷端温度~工作温度的电导率平均值,根据二者的平均电导率数值差异,将两种元件设计成不同的截面积,以使二者的单体内阻相同。 | ||
地址 | 300384 天津市西青区海泰工业园华科七路6号 |