| 发明名称 | 刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种刻蚀方法，所述刻蚀方法包括：步骤1：在基片上形成金属材料层；步骤2：对所述金属材料层进行构图工艺以形成第一图形；步骤3：以具有所述第一图形的金属材料层为掩膜，对所述基片进行干法刻蚀；步骤4：去除所述基片上剩余的所述金属材料层。在本发明所提供的刻蚀方法中，利用金属材料制成对基片进行刻蚀时所需的掩膜，与惯用的光刻胶掩膜层相比，金属掩膜层具有较大的硬度，因此，所述第一图形与所述基片之间具有较大的刻蚀选择比，从而使得具有所述第一图形的金属材料层不容易被刻蚀气体刻蚀掉，因此，本发明所提供的刻蚀方法更适于在基片上刻蚀深度较大的沟槽。 | ||
| 申请公布号 | CN105702569A | 申请公布日期 | 2016.06.22 |
| 申请号 | CN201410708652.0 | 申请日期 | 2014.11.27 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 周娜;苏子铎;袁仁志;谢秋实 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 彭瑞欣;张天舒 |
| 主权项 | 一种刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括：步骤1：在基片上形成金属材料层；步骤2：对所述金属材料层进行构图工艺以形成第一图形；步骤3：以具有所述第一图形的金属材料层为掩膜，对所述基片进行干法刻蚀；步骤4：去除所述基片上剩余的所述金属材料层。 | ||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号 | ||