MEMS器件的形成方法

摘要

一种MEMS器件的形成方法，首先在硅基底表层的部分区域进行离子注入形成改性区，之后在具有改性区的硅基底上形成器件层，在器件层内形成暴露改性区的沟槽，通过该沟槽湿法腐蚀去除该改性区以及部分硅基底以形成空腔，由于改性区的性质与硅基底的性质不同，因而可以通过选择腐蚀溶液，在腐蚀硅基底形成空腔时，能对悬浮于空腔上部的器件层下的改性区材质进行完全去除，由于改性区的完全去除，使得悬浮的可动部件下无硅材质残留，进而提高可动部件的灵敏度。

主权项

一种MEMS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供硅基底，在所述硅基底表层的部分区域进行离子注入形成改性区；在所述具有改性区的硅基底上形成器件层；干法刻蚀所述器件层以在其内形成沟槽，所述沟槽暴露出所述改性区；通过所述沟槽湿法去除所述改性区以及部分硅基底以形成空腔，悬浮在所述空腔上部的器件层形成可动部件。