IGBT模块和电路

摘要

本发明涉及IGBT模块和电路。提供了一种IGBT模块。所述IGBT模块具有：至少第一单独IGBT，具有关断所述IGBT模块期间的第一软化度；以及至少第二单独IGBT，并联连接至至少一个第一IGBT。所述至少一个第二单独IGBT具有关断所述IGBT模块期间的第二软化度，所述第二软化度与所述第一软化度不同。还提供了具有并联连接的两个单独IGBT的电路和电子功率器件。

主权项

一种IGBT模块，包括：第一IGBT，包括第一半导体衬底、集电极、栅电极、发射电极和在第一半导体衬底中形成的集电极侧晶体管，所述集电极侧晶体管具有第一增益因子，所述第一增益因子是共基极电流增益；以及第二IGBT，包括与第一半导体衬底不连接的第二半导体衬底、与所述第一IGBT的集电极电连接的集电极、与所述第一IGBT的栅电极电连接的栅电极、与所述第一IGBT的发射电极电连接的发射电极以及在第二半导体衬底中形成的集电极侧晶体管，所述第二IGBT的集电极侧晶体管具有第二增益因子，所述第二增益因子是共基极电流增益，其中在相同操作条件下所述第二增益因子与所述第一增益因子不同，其中两个晶体管增益因子不同表示在晶体管的相同操作条件下增益因子之间的区别比从制造中的变化和因老化过程引起的变化所期望的要大。