晶圆切割方法

摘要

本发明提供一种晶圆切割方法，其包括：提供晶圆，该晶圆包括正面和与该正面相对应的背面；通过镭射切割工艺自所述晶圆的正面向其背面进行切割，以在所述晶圆的正面形成多个切割道；在形成有切割道的晶圆的正面上贴附研磨胶膜；对贴附有研磨胶膜的晶圆进行背面研磨，以使所述切割道贯穿研磨后的晶圆，从而形成多个分离的芯片。由于采用了先镭射切割，后研磨工艺，并且镭射切割不会产生切割应力，因此本发明中的晶圆切割方法不仅可以避免薄晶圆的破裂，也可应用于切割低介电常数晶圆。

主权项

一种晶圆切割方法，其特征在于，其包括：提供晶圆，该晶圆包括正面和与该正面相对应的背面；通过镭射切割工艺自所述晶圆的正面向其背面进行切割，以在所述晶圆的正面侧形成多个切割道；在形成有所述切割道的晶圆的正面上贴附研磨胶膜；对贴附有研磨胶膜的晶圆进行背面研磨，以使所述切割道贯穿研磨后的晶圆，从而形成多个分离的芯片，提供的所述晶圆还包括半导体层和形成于所述半导体层上的金属层，所述金属层位于所述晶圆的正面，所述切割道自所述晶圆的正面贯穿所述金属层，其末端延伸入所述半导体层。