三维集成电路结构和用于半导体晶圆的混合接合方法

摘要

公开了三维集成电路(3DIC)结构和用于半导体晶圆的混合接合方法。3DIC结构包括第一半导体器件，在第一半导体器件顶面上的第一绝缘材料内设置有第一导电焊盘，在第一导电焊盘的顶面上具有第一凹槽。3DIC结构包括连接至第一半导体器件的第二半导体器件，在第二半导体器件顶面上的第二绝缘材料内设置有第二导电焊盘，在第二导电焊盘的顶面上具有第二凹槽。密封层设置在位于第一凹槽中的第一导电焊盘和位于第二凹槽中的第二导电焊盘之间。密封层将第一导电焊盘接合至第二导电焊盘。第一绝缘材料接合至第二绝缘材料。

主权项

一种三维集成电路(3DIC)结构，包括：第一半导体器件，在所述第一半导体器件的顶面上的第一绝缘材料内设置有多个第一导电焊盘，在所述多个第一导电焊盘中的每一个导电焊盘的顶面上都具有第一凹槽；第二半导体器件，连接至所述第一半导体器件，在所述第二半导体器件的顶面上的第二绝缘材料内设置有多个第二导电焊盘，在所述多个第二导电焊盘中的每一个导电焊盘的顶面上都具有第二凹槽；以及密封层，在所述第一凹槽和所述第二凹槽中设置在所述多个第一导电焊盘中的每一个导电焊盘和所述多个第二导电焊盘中的一个导电焊盘之间，其中，所述密封层将所述多个第一导电焊盘中的每一个导电焊盘接合至所述多个第二导电焊盘中的一个导电焊盘，并且，所述第一绝缘材料接合至所述第二绝缘材料。