发明名称 |
一种中大尺寸蓝宝石晶圆图案化制程蚀刻后清洗装置及方法 |
摘要 |
本发明公开一种中大尺寸蓝宝石晶圆图案化制程蚀刻后清洗装置,由电机、真空吸附台和顶部喷头组成,真空吸附台安装在电机的输出端,真空吸附台中形成通气道,通气道的下端接气源,真空吸附台上对应蓝宝石晶圆的底面开设一圈出气孔与通气道的上端连接,顶部喷头安装在真空吸附台上方。本发明还公开一种中大尺寸蓝宝石晶圆图案化制程蚀刻后清洗方法。本发明可以避免交叉污染的现象,达到清洗的效果,进而提高了后续图案化制程及MOCVD制程的成品率及良率。 |
申请公布号 |
CN104190652B |
申请公布日期 |
2016.06.22 |
申请号 |
CN201410391442.3 |
申请日期 |
2014.08.11 |
申请人 |
厦门润晶光电集团有限公司 |
发明人 |
刘伯彦;王晓靁;刘崇志;钟其龙 |
分类号 |
B08B3/08(2006.01)I;B08B3/10(2006.01)I;B08B3/12(2006.01)I;B08B13/00(2006.01)I |
主分类号 |
B08B3/08(2006.01)I |
代理机构 |
厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 |
代理人 |
李宁 |
主权项 |
一种中大尺寸蓝宝石晶圆图案化制程蚀刻后清洗方法,其特征在于步骤是:第一步,将蓝宝石晶圆采用真空吸附台固定,开启真空吸附台下方的电机带动真空吸附台和蓝宝石晶圆旋转,转速200rpm;第二步,开启气源,由真空吸附台的通气道经出气孔向蓝宝石晶圆的底面喷气;第三步,持续第一步和第二步,同时,用顶部喷头在蓝宝石晶圆顶部从中间往外喷洒SPM进行清洗;第四步,持续第一步和第二步,同时,用顶部喷头在蓝宝石晶圆顶部从中间往外喷洒去离子水进行兆声波清洗;第五步,持续第一步和第二步,同时,用顶部喷头在蓝宝石晶圆顶部从中间往外喷洒cold SC1进行清洗;第六步,持续第一步和第二步,同时,用顶部喷头在蓝宝石晶圆顶部从中间往外喷洒去离子水进行兆声波清洗;第七步,持续第一步,最后晶圆以每分钟1500‑2000转的速度快速旋干,关闭电机即可。 |
地址 |
361000 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔岳路4号之1号厂房1层 |